Компоненти: Samsung анонсувала плани по переходу на 4 нм техпроцес

Цього року флагманські чіпсети Samsung і Qualcomm побудовані з використанням норм 10 нм технологічного процесу. Втім, компанія Samsung вже оприлюднила дорожню карту з планами переходу на технологічні процеси аж 4 нм. Заява була зроблена в рамках Samsung Foundry Forum.


Наступним етапом, на якому сфокусується компанія Samsung, стане перехід на норми 8 нм технологічного процесу Low Power Plus. Для випуску 7 нм чіпів, при травлення електронної схеми на кремнієвій основі, буде використовуватися Extreme Ultra Violet Lithography. 6 нм LPP-процес Samsung буде використовувати нове рішення Smart Scaling, що дозволяє отримати переваги наднизької потужності, перш ніж перейти до його 5-нм LPP-процесу. Після переходу до технологічного процесу 4 нм на зміну архітектурі FinFET прийдуть Multi Bridge Channel FET / Samsung All Gate FET, що дозволяє подолати межі фізичного масштабування FinFET. Звичайно, 4 нм технологічний процес це справа майбутнього, причому зовсім не близького. Однак рух по розкритою Samsung дорожній карті в будь-якому випадку приведе до того, що смартфони стануть продуктивніше і споживатимуть менше енергії.

0 коментарі:

Опублікувати коментар